高壓(yā)電源(yuán)

由於高(gāo)壓的波動(dòng)會引(yǐn)起放大(dà)倍數(shù)波動高一個(gè)數量級
，因(yīn)此(cǐ)對電壓穩定性(xìng)的(dí)要(yào)求比(bǐ)放大倍(bèi)數(shù)穩定性要(yào)求高(gāo)一(yī)個數(shù)量級。特(tè)別作(zuò)能譜(pǔ)測量
，譜(pǔ)峰位置(zhì)的穩定(dìng)性(xìng)十分(fēn)重(zhòng)要(yào)（一個(gè)高壓穩定(dìng)性(xìng)為0.2‰的(dí)高(gāo)壓(yā)電源,取道址(zhǐ)為256道時,峰(fēng)飄小於半(bàn)道(dào)）。

NaI單晶(jīng)譜儀(yí)γ譜(pǔ)的(dí)生成(chéng)公(gōng)寓人(rén)防生(shēng)物戰劑(jì)報(bào)警(jǐng)器(qì)G-N32E天道

當γ射綫的(dí)能量全(quán)部耗(hào)盡(jìn)在(zài)NaI閃(shǎn)爍體內時(shí),探測(cè)器輸(shū)出(chū)的(dí)脈(mài)衝幅(fú)度與入射(shè)的γ光(guāng)子(zǐ)能(néng)量成(chéng)正(zhèng)比,由(yóu)此(cǐ)可(kě)根據脈(mài)衝(chōng)幅(fú)度(dù)譜來(lái)測(cè)定γ光(guāng)子(zǐ)的能譜。

1，一個(gè)單(dān)核素公寓(yù)人防(fáng)生(shēng)物(wù)戰劑(jì)報(bào)警(jǐng)器G-N32E天道

Cs的譜的生成(chéng)137Cs的662kev能譜(pǔ)包括三個(gè)峰(fēng)和一(yī)個(gè)平(píng)台（典型(xíng)）137

A—全(quán)能峰(fēng)
，662kev直(zhí)接(jiē)反(fǎn)映(yìng)γ射綫(xiàn)能量(liáng)
，由光(guāng)電效應(yīng)及(jí)多(duō)次效(xiào)應的貢獻(xiàn)；

B—康普頓坪
，為散射光子(zǐ)逃出NaI後留(liú)下的一個(gè)能量連續的電(diàn)子譜(pǔ)
，該坪有

個(gè)邊界
，應(yīng)在470kev左(zuǒ)右；

C—反散射峰
，它(tā)是(shì)由於在(zài)NaI中未經吸(xī)收(shōu)穿出的γ光子(zǐ)
，在閃爍(shuò)體(tǐ)後麵物質上

發生(shēng)康(kāng)普(pǔ)頓效應(yīng)
，反散射光子回NaI中
，通過光電效(xiào)應被(bèi)記錄(lù)
，由前述(shù)
，它的能(néng)量總在

200kev左右。

D—Ba的χ射(shè)綫峰
，由(yóu)於(yú)Cs發(fā)生(shēng)β衰(shuāi)變後(hòu)
，Ba的(dí)激發(fā)態(tài)放(fàng)出內轉(zhuǎn)換電(diàn)子
，在137137137K層造成(chéng)空(kōng)位
，外(wài)層(céng)電子躍遷(qiān)而成(chéng)。實際(jì)譜(pǔ)圖中(zhōng)
，C峰和D峰(fēng)可(kě)能較弱而(ér)並(bìng)不明顯。